 | SEMELAB - BFD63 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N 通道
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):0.125ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:198W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:198W
安装孔中心距:30mm
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
引脚节距:11mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:6A
电流, Idm 脉冲:24A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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