 | SEMIKRON - SK10GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat ??大:2.1V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITOP 3
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:30ns
功率, Pd:2000W
安装孔中心距:52.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:15A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
集电极电流, Ic 平均值:15A
集电极连续电流, Ic 最大值:11A
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