 | NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123 |
晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
电压, Vds 最大:65V
电流, Id 连续:1A
最大功耗:16W
噪声:5.5dB
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-123
截止频率 ft, 典型值:175MHz
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
表面安装器件:螺丝安装
功率, Pd:5W
器件标号:1
封装类型:SOT-123
应用代码:RFPOWMOS
开态电阻, Rds(on):3.3ohm
效率:50%
最小功率增益 Gp:13dB
漏极电流, Id 最大值:1A
电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
电压, Vds 典型值:28V
电容值, Ciss 典型值:13pF
电流, Idm 脉冲:1A
电流, Idss 最大:0.01mA
负载功率:16W
通态电阻, Rds on 最大:5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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