 | TOSHIBA - 2SK1119(F) - 场效应管 MOSFET N TO-220 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:1000V
开态电阻, Rds(on):3.8ohm
电压 @ Rds测量:10V
???压, Vgs 最高:20V
功耗:100W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:100W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
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