 | TOSHIBA - 2SK2698(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:150W
封装类型:TO-3P
针脚数:3
功率, Pd:150W
封装类型:TO-3P
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:15A
电流, Idm 脉冲:60A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
| 上海 0 新加坡121 英国249 | 1 | 1 | | 删除 |
