 | IXYS SEMICONDUCTOR - IXDR35N60BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:NPT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:70ns
下降时间:70ns
功耗:125W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:38A
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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