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TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2N7000CT - 场效应管 MOSFET N 60V TO-92  场效应管 MOSFET N 60V TO-92 上海 0 新加坡 0 英国6521 1 5 删除
TOSHIBA - 2SK3562 - 场效应管 MOSFET N 600V TO-220SIS  晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:6A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):1.25ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:40W 封装类型:TO-220SIS 功率, Pd:40W 封装类型:TO-220SIS 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:6A 电流, Idm 脉冲:24A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡10 英国579 1 1 删除