 | IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:55A
最大功耗:600W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
晶体管极性:N
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:20ns
功率, Pd:600W
封装类型:ISOTOP
开态电阻, Rds(on):0.085ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:6700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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