 | IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1200V
电流, Id 连续:8A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247AD
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:4ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):2.1ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
电压, Vds 典型值:1200V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
电流, Idm 脉冲:40A
阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
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