 | IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:28A
最大功耗:315W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-268
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
上升时间:13ns
功率, Pd:315W
封装类型:TO-268
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:3000pF
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
| 上海 0 新加坡 0 英国24 | 1 | 1 | | 删除 |
