 | IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:1000V
电流, Id 连续:12A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-268
晶体管极性:N
表面安装器件:表面安装
上升时间:12ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-268
开态电阻, Rds(on):1.05ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:1000V
电容值, Ciss 典型值:2700pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
