 | SEMIKRON - SEMIX352GB128DS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat ???大:2.35V
电压, Vceo:1.15V
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:55ns
最大连续电流, Ic:370A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:2000A
集电极电流, Ic 平均值:370A
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