 | STMICROELECTRONICS - STGD3NB60SD-1 - 晶体管 IGBT I-PAK |
晶体管类型:IGBT - PowerMESH - Low Drop
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
封装类型:I-PAK
上升时间:150000ns
下降时间:720ns
功率, Pd:48W
功耗:48W
封装类型:I-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:3A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:25A
表面安装器件:通孔安装
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