 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA90N30DTU - 晶体管 IGBT TO-3P |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.4V
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-3P
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:200ns
下降时间:110ns
功率, Pd:219W
功耗:219W
封装类型:TO-3P
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:90A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.57°C/W
电压, Vces:300V
电流, Ic @ Vce饱和:20A
电流, Icm 脉冲:220A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:With flywheel diode
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