 | SEMIKRON - SEMIX 302GB126HDS - 双IGBT模块 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:50ns
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:300A
集电极电流, Ic 平均值:300A
集电极连续电流, Ic 最大值:210A
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