 | SEMIKRON - SKM 150GB128D - 双IGBT模块 200A 1200V SPT |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 3
外宽:106.4mm
外部深度:61.4mm
外部长度/高度:30.5mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:40ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:200A
集电极连续电流, Ic 最大值:140A
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