 | SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V |
模块配置:H Bridge Inverter
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.007ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
外部长度/高度:15.43mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:螺丝安装
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:120A
芯片封装类型:A
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
| 上海 0 新加坡2 英国5 | 1 | 1 | | 删除 |
