 | NXP - PMBFJ112 - 场效应管 JFET N RF SOT23 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:40V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:5mA
电压, Vgs off 最大:3V
功耗:300mW
封装类型:SOT-23
??断电压, Vgs off 最低:-10V
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.3W
晶体管极性:N Channel
栅极电流, Ig:50mA
电压, Vds 最大:40V
电流, Idss 最小:5mA
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:50ohm
针脚配置:D(1),S(2),G(3)
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