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STMICROELECTRONICS - M4T32-BR12SH6 - 电池+晶振 用于NVRAM  存储容量:120mAh 输出电压:2.8V 电池技术:Lithium Polymer 电池端子:压力接触 外部高度:10.54mm 外宽:18.03mm 深度/厚度:21.84mm SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 外部深度:21.84mm 外部长度/高度:10.54mm 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:85°C 端子类型:SNAPHAT 表面安装器件:表面安装 器件标号:4 封装类型:SOIC 引线直径:0.56mm 引线长度:2.29mm 针脚数:4 上海 0 新加坡46 英国86 1 1 删除