 | CLARE - CPC5602C - 场效应管 MOSFET N沟道 |
晶体管极性:N-Channel
漏极电流, Id 最大值:130mA
电压, Vds 最大:350V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:-350mV
电压, Vgs 最高:-2V
功耗:2.5W
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:SOT-223
针脚数:4
封装类型:SOT-223
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-0.35V
电压, Vds 典型值:350V
电流, Id 连续:5mA
表面安装器件:表面安装
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