 | ON SEMICONDUCTOR - NTP18N06G - 场效应管 MOSFET N沟道 60V TO-220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.09ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.9V
功耗:48.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:48.4W
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.9V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
