 | STMICROELECTRONICS - STD60N55F3 - 场效应管 MOSFET N型 DPAK |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):0.0085ohm
电压 @ Rds测量:10V
功耗:110mW
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
封装类型:D2-PAK
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:320A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0085ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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