 | INFINEON - SPA11N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:11A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.44ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:33W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:11A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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