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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - BCW68HTA - 晶体管 PNP 45V SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:330mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:330mW
基极电流, Ib:0.1A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.33W
时间, t off:400ns
时间, t on:100ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:500mA
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:0.8A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0
新加坡 0
英国165 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT555TA - 晶体管 PNP 150V SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:150V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:100mA
??流电流增益 hFE:50
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:500mW
基极电流, Ib:0.2A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.5W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:0.3A
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:50
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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上海20
新加坡 0
英国4080 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BCW66HTA - 晶体管 NPN 45V SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:330mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:330mW
基极电流, Ib:0.1A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.33W
时间, t off:400ns
时间, t on:100ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:500mA
电压, Vcbo:75V
电流, Ic hFE:0.1A
电流, Ic 最大:0.8A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT494TA - 晶体管 NPN 120V SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:500mA
??流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
功耗:500mW
基极电流, Ib:0.2A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.5W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:500mA
电压, Vcbo:140V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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上海 0
新加坡13
英国 0 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXTP25040DFLTA - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
??止频率 ft, 典型值:190MHz
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.35W
时间, t off:130ns
时间, t on:108ns
晶体管类型:Low Power Bipolar
最大连续电流, Ic:-3A
电压, Vcbo:130V
电流, Ic hFE:1.5A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:170
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.185V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP25020DFLTA - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:290MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.35W
时间, t off:32.7ns
时间, t on:16.3ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4A
电压, Vcbo:25V
电流, Ic hFE:1.5A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.195V
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上海 0
新加坡200
英国1361 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN25040DFLTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:190MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.35W
时间, t off:130ns
时间, t on:108ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4A
电压, Vcbo:130V
电流, Ic hFE:1.5A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:170
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.185V
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上海20
新加坡40
英国2645 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN25020DFLTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
??止频率 ft, 典型值:215MHz
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.35W
时间, t off:63.9ns
时间, t on:72.2ns
晶体管类型:Low Power Bipolar
最大连续电流, Ic:4.5A
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.225V
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上海 0
新加坡 0
英国290 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:12V
截止频率 ft, 典型值:260MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:800
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:350mW
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.35W
时间, t off:72ns
时间, t on:70ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:5A
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:370
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.13V
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上海1050
新加坡100
英国11890 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - FMMTA14TA - 达林顿晶体管 SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
功耗, Pd:330mW
集电极直流电流:0.3A
直流电流增益 hFE:20000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:330mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.33W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar Darlington
最大连续电流, Ic:0.3A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:40V
电流, Ic @ Vce饱和:0.1A
电流, Ic hFE:0.01A
电流, Ic 最大:0.3A
直流电流增益 hfe, 最小值:10000
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:0.3A
饱和电压, Vce sat 最大:0.9V
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上海 0
新加坡 0
英国4060 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT634TA - 达林顿晶体管 SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:0.9A
直流电流增益 hFE:60000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:625mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.625W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar Darlington
最大连续电流, Ic:0.9A
最小增益带宽 ft:140MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic @ Vce饱和:0.93A
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:0.9A
电流, Icm 脉冲:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:15000
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:0.9A
饱和电压, Vce sat 最大:0.96V
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上海 0
新加坡150
英国5510 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BSS84TA - 场效应管 MOSFET P型 50V SOT23 |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):10ohm
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.36W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:-50V
电流, Id 连续:0.13A
电流, Idm 脉冲:0.52A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(G), 2(S),3(D)
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-0.8V
阈值电压, Vgs th 最高:-2V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BAT750TA - 二极管 肖特基型 750mA SOT23 |
二极管类型:Schottky
电流, If 平均:750mA
电压, Vrrm:40V
正向电压 Vf 最大:490mV
时间, trr 最大:5ns
电流, Ifs 最大:5.5A
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装形式:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:1G1
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:350W
时间, trr 典型值:5ns
正向电压, 于If:0.49V
电流, If @ Vf:750mA
电流, Ifsm:5.5A
结温, Tj 最高:125°C
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡10
英国630 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP2014GTA - 晶体管 PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:160V
截止频率 ft, 典型值:120MHz
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:60mV
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP2013GTA - 晶体管 PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:115V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:30mV
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无库存 |
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5 |
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