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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - BCX6825TA - 晶体管 NPN 20V SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:1000mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1000mW
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1000mA
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:25V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:1000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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上海 0
新加坡 0
英国1407 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - FCX1051ATA - 晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:155MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:5000mA
直???电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:2W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1000mW
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3000mA
电压, Vcbo:150V
电流, Ic hFE:3000mA
电流, Ic 最大:3000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:270
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:25mV
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上海225
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - BCV49TA - 达林顿晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:170MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:10000
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar Darlington
最大连续电流, Ic:0.5A
最小增益带宽 ft:170MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic @ Vce饱和:0.1A
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:0.5A
电流, Icm 脉冲:0.8A
直流电流增益 hfe, 最小值:2000
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:0.5A
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海265
新加坡 0
英国6558 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - BST52TA - 达林顿晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:2000
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar Darlington
最大连续电流, Ic:0.5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:90V
电流, Ic @ Vce饱和:0.5A
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:0.5A
电流, Icm 脉冲:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:2000
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:0.5A
饱和电压, Vce sat 最大:1.3V
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4 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN19100CFFTA - 晶体管 NPN SOT-23F |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:4.5A
直流电流增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
峰值电流, Icm:6A
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:133ns
时间, t on:23.6ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4.5A
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:200V
电流, Ic @ Vce饱和:4.5A
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:4.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:130
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.235V
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上海 0
新加坡 0
英国1705 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN19060CFFTA - 晶体管 NPN SOT-23F |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:5.5A
直流电流增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23F
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
峰值电流, Icm:12A
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:90.9ns
时间, t on:13.2ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:5.5A
最小增益带宽 ft:130MHz
电压, Vcbo:160V
电流, Ic @ Vce饱和:5.5A
电流, Ic hFE:6A
电流, Ic 最大:5.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.175V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP19060CFFTA - 晶体管 PNP SOT-23F |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
峰值电流, Icm:7A
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:68.2ns
时间, t on:13.2ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4A
最小增益带宽 ft:180MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic @ Vce饱和:4A
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.27V
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上海 0
新加坡 0
英国108 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP08400BFFTA - 晶体管 PNP SOT-23F |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:400V
截止频率 ft, 典型值:70MHz
封装类型:SOT-23F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
峰值电流, Icm:1A
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:153.8ns
时间, t on:73.8ns
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:-200mA
最小增益带宽 ft:50MHz
电压, Vcbo:400V
电流, Ic @ Vce饱和:0.2A
电流, Ic hFE:0.2A
电流, Ic 最大:0.2A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.9V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP05120HFFTA - 达林顿晶体管 PNP SOT-23F |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:14000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
总功率, Ptot:1.5W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar Darlington
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:150MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:140V
电流, Ic @ Vce饱和:1A
电流, Ic hFE:1A
电流, Icm 脉冲:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:3000
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:1A
饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
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1 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN04120HFFTA - 达林顿晶体管 NPN SOT-23F |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:120MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:12000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23F
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
总功率, Ptot:1.5W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar Darlington
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:120MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:140V
电流, Ic @ Vce饱和:1A
电流, Ic hFE:1A
电流, Icm 脉冲:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:3000
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:1A
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0
新加坡150
英国428 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP19100CFFTA - 晶体管 PNP SOT-23F |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:142MHz
封装类型:SOT-23F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
峰值电流, Icm:3A
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:107ns
时间, t on:22.4ns
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:-2A
最小增益带宽 ft:142MHz
电压, Vcbo:110V
电流, Ic @ Vce饱和:2A
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.95V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN08400BFFTA - 晶体管 NPN SOT-23F |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:400V
截止频率 ft, 典型值:40MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:180
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-23F
峰值电流, Icm:1A
总功率, Ptot:1.5W
时间, t off:240ns
时间, t on:52ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:500mA
最小增益带宽 ft:40MHz
电压, Vcbo:450V
电流, Ic @ Vce饱和:0.5A
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:10
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.95V
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上海 0
新加坡70
英国2895 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXT10P20DE6TA - 晶体管 PNP SOT23-6 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截??频率 ft, 典型值:180MHz
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.1W
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
峰值电流, Icm:6A
总功率, Ptot:1.1W
晶体管数:1
晶体管类型:Low Saturation Switching
最大连续电流, Ic:-2.5A
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:2.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.05V
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上海 0
新加坡 0
英国214 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXT10P12DE6TA - 晶体管 PNP SOT23-6 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:12V
截??频率 ft, 典型值:110MHz
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.1W
基极电流, Ib:0.5A
封装类型:SOT-23
峰值电流, Icm:10A
总功率, Ptot:1.1W
晶体管数:1
晶体管类型:Low Saturation Switching
最大连续电流, Ic:-3A
最小增益带宽 ft:80MHz
电压, Vcbo:12V
电流, Ic hFE:2.5A
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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上海 0
新加坡 0
英国63 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - FMMTA56TA - 晶体管 PNP 80V SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:330mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.33W
晶体管类型:Low Power Bipolar
最大连续电流, Ic:-100mA
电流, Ic hFE:0.1A
电流, Ic 最大:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:50
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
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无库存 |
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