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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - DSS5140U-7 - 晶体管 PNP SOT323 0.4W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.4W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.4W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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上海 0
新加坡 0
英国2390 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4160U-7 - 晶体管 NPN SOT323 0.4W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.4W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.4W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:115mV
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上海 0
新加坡 0
英国485 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4140U-7 - 晶体管 NPN SOT323 0.4W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.4W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.4W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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上海 0
新加坡 0
英国2515 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS5240T-7 - 晶体管 PNP SOT23 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:100mV
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上海 0
新加坡 0
英国2915 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS20200L-7 - 晶体管 PNP SOT23 0.6W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:13mV
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上海 0
新加坡 0
英国2180 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4240T-7 - 晶体管 NPN SOT23 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:350
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:70mV
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上海1892
新加坡 0
英国2280 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS20201L-7 - 晶体管 NPN SOT23 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:330
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:10mV
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上海 0
新加坡 0
英国455 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4320T-7 - 晶体管 NPN SOT23 0.6W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:0.6W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:70mV
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上海 0
新加坡 0
英国250 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS4540X-13 - 晶体管 NPN SOT89 0.9W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:70MHz
功耗, Pd:0.9W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.9W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:90mV
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上海 0
新加坡 0
英国195 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS60600MZ4-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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上海 0
新加坡 0
英国766 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DJT4030P-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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上海 0
新加坡 0
英国639 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DMJT9435-13 - 晶体管 PNP SOT223 1.2W |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:160MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.8A
直流电流增益 hFE:125
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.8A
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:210mV
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上海 0
新加坡 0
英国495 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DSS60601MZ4-13 - 晶体管 NPN SOT223 1.2W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:40mV
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上海 0
新加坡 0
英国2010 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - DJT4031N-13 - 晶体管 NPN SOT223 1.2W |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:105MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.2W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:100mV
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上海 0
新加坡 0
英国1267 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXLD1366DACTC - 芯片 LED驱动器 1A 60V DFN633 |
驱动芯片类型:LED
拓扑结构:降压
输入电压范围:6V to 60V
输出电压:60V
输出电???:1A
输出数:1
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:DFN
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
LED显示类型:LED
器件标号:1366
封装类型:DFN
电源电压 最大:60V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国1112 |
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