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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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DIODES ZETEX - DXT5551-13 - 双极性晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:160V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.6A
直流电流增益 hfe, 最小值:80
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DXT5401-13 - 双极性晶体管 PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:150V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.6A
直流电流增益 hfe, 最小值:60
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DXT3906-13 - 双极性晶体管 PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.2A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DXT2907A-13 - 双极性晶体管 PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.6A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DPLS4140E-13 - 双极性晶体管 PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:140V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:60mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DPLS350Y-13 - 双极性晶体管 PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:90mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DPLS350E-13 - 双极性晶体管 PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:100mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DPLS320A-7 - 双极性晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:215MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DPBT8105-7 - 双极性晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DNLS350Y-13 - 双极性晶体管 NPN SOT89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:80mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DNLS350E-13 - 双极性晶体管 NPN SOT223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:90mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DNLS320A-7 - 双极性晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:220MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.6W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:220
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:70mV
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DMP3030SN-7 - 场效应管 MOSFET P沟道 SC-59 |
晶体管极性:P Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SC-59
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SC-59
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:-700mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-3V
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无库存 |
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5 |
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DIODES ZETEX - DMP2240UDM-7 - 场效应管 MOSFET 双P沟道 SOT-26 |
晶体管极性:P Channel
开态电阻, Rds(on):150mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-26
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-26
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:-2A
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无库存 |
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5 |
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DIODES ZETEX - DMP2130LDM-7 - 场效应管 MOSFET P沟道 SOT-26 |
晶体管极性:P Channel
开态电阻, Rds(on):80mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-26
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-26
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:-3.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.25V
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