| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IR3500VMTRPBF - 芯片 控制器 XPHASE? |
芯片 控制器 XPHASE?
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IR3316PBF - 芯片 高压侧驱动器 |
芯片 高压侧驱动器
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRS24531DSPBF - 芯片 全桥驱动器 |
芯片 全桥驱动器
|
美国 0
上海 0
美国22
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IR2010SPBF. - 芯片 MOSFET驱动器 |
芯片 MOSFET驱动器
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRS2336DMPBF - 芯片 栅极驱动器 高压 三相 |
芯片 栅极驱动器 高压 三相
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRS23364DJPBF. - 芯片 栅极驱动器 高压 三相 |
芯片 栅极驱动器 高压 三相
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRS2336SPBF - 芯片 栅极驱动器 高压 三相 |
芯片 栅极驱动器 高压 三相
|
美国 0
上海 0
美国39
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRS2336JPBF - 芯片 栅极驱动器 高压 三相 |
芯片 栅极驱动器 高压 三相
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - PVT312SPBF - 固态继电器 MOSFET 320mA |
Max Load Voltage:250V
负载电流:190mA
通态电阻:10ohm
触点类型:SPST-NO
隔离电压:4000V rms
正向电流 If:25mA
端子类型:SMD
负载电流, RMS 最大:320mA
Load Voltage Range:0V to 250V
|
上海 0
新加坡 0
英国95 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6218PBF - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:-27A
电压, Vds 最大:-150V
开态电阻, Rds(on):150mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-5V
功耗:250W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:3-TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-150V
电流, Id 连续:-27A
|
上海 0
新加坡 0
英国1076 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF5210PBF - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:P Channel
漏极电流, Id 最大值:-40A
电压, Vds 最大:-100V
开态电阻, Rds(on):60mohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:200W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-100V
电流, Id 连续:-40A
|
上海 0
新加坡40
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF3205PBF - 场效应管 MOSFET |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:110A
电压, Vds 最大:55V
开态电阻, Rds(on):8mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:150W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:55V
电流, Id 连续:110A
|
上海 0
新加坡 0
英国266 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF640PBF - 场效应管 MOSFET N沟道 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):180mohm
封装类型:TO-220
封装类??:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:18A
|
上海50
新加坡251
英国615 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP30B120KD-EP. - 晶体管 IGBT |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.2kV
最大功耗:300W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
针脚数:3
封装类型:TO-247AD
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS60B120KDP. - 晶体管 IGBT |
晶体管类???:IGBT
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:2.75V
最大功耗:595W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:Super-247
针脚数:3
功耗:595W
封装类型:Super-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:105A
|
上海 0
新加坡 0
英国9 |
1 |
1 |
|
| 共 114 页 | 第 3 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
简体中文