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图片	型号	产品描述	库存状况	包装规格	单位价格 (不含税)
	NXP - BUK9508-55B - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 75A TO-220AB	晶体管极性:N Channel 漏极电流, Id 最大值:110A 电压, Vds 最大:55V 开态电阻, Rds(on):6.2mohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:15V 功耗:203W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:TO-220AB 封装类型:TO-220AB 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:55V 电流, Id 连续:25A 表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V	停产	1	1
	NUMONYX - M29DW323DT70ZE6E - 芯片闪存或非型 32MB 顶部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:32Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	上海 0 新加坡 0 英国186	1	1
	NUMONYX - M29DW323DB70ZE6E - 芯片闪存或非型 32MB 底部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:32Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	上海 0 新加坡 0 英国145	1	1
	NUMONYX - M29W320ET70ZE6E - 芯片闪存或非型 32MB 顶部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:32Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	上海 0 新加坡 0 英国66	1	1
	NUMONYX - M29W320EB70ZE6E - 芯片闪存或非型 32MB 底部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:32Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	上海 0 新加坡5 英国 0	1	1
	NUMONYX - M29W320EB70N6E - 芯片闪存或非型 32MB 底部引导 48TSOP	存储器类型:Flash 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit 封装类型:TSOP 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TSOP 存储器容量:32Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W160ET70ZA6E - 芯片闪存或非型 16MB 顶部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:2M x 8bit or 1M x 16bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:16Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W160ET70N6E - 芯片闪存或非型 16MB 顶部引导 48TSOP	存储器类型:Flash 存储器配置:2M x 8bit or 1M x 16bit 封装类型:TSOP 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TSOP 存储器容量:16Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W160EB70ZA6E - 芯片闪存或非型 16MB 底部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:2M x 8bit or 1M x 16bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:16Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W800DT70ZE6E - 芯片闪存或非型 8MB 顶部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:1M x 8bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导接口类型:CFI 电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W800DT45ZE6E - 芯片闪存或非型 8MB 顶部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:1M x 8bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导接口类型:CFI 电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:45ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W800DT45N6E - 芯片闪存或非型 8MB 顶部引导 48TSOP	存储器类型:Flash 存储器配置:1M x 8bit 封装类型:TSOP 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TSOP 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:顶部引导接口类型:CFI 电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:45ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W800DB70ZE6E - 芯片闪存或非型 8MB 底部引导 48TFBGA	存储器类型:Flash 存储器配置:1M x 8bit 封装类型:TFBGA 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TFBGA 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导接口类型:CFI 电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W800DB70N6E - 芯片闪存或非型 8MB 底部引导 48TSOP	存储器类型:Flash 存储器配置:1M x 8bit 封装类型:TSOP 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TSOP 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导接口类型:CFI 电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:70ns	无库存	1	1
	NUMONYX - M29W800DB45N6E - 芯片闪存或非型 8MB 底部引导 48TSOP	存储器类型:Flash 存储器配置:1M x 8bit 封装类型:TSOP 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装类型:TSOP 存储器容量:8Mbit 存储器电压 Vcc:3V 扇区类型:底部引导接口类型:CFI 电源电压最大:3.6V 电源电压最小:2.7V 表面安装器件:表面安装访问时间:45ns	无库存	1	1
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