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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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SEMIKRON - SK70DT16 - 晶闸管模块 3相 |
电压, Vdrm:1600V
电流, Igt:100mA
电流, It 有效值:68A
电流, Itsm (50Hz):450A
最大保持电流 (Ih):150mA
电压, Vgt:2V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:SEMITOP 3
外宽:43mm
外部深度:31mm
外部长度/高度:55mm
安装孔直径:4.4mm
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管
电压, Vrrm:1600V
电流, Itsm:450A
表面安装器件:焊接型
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
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SEMIKRON - SK70D16 - 二极管模块 3相 |
电压, Vrrm:1200V
电流, If 平均:70A
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SEMITOP 2 - T7
电流, If @ Vf:25A
电流, Ifs 最大:370A
表面安装器件:螺丝安装
针脚配置:1+2 = 共K, 7+8 = 共A, 9
正向电压, 于If:1.25V
温度 @ 电流测量:25°C
隔离电压:2500V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK115MD10 - 场效应管模块 MOSFET 100V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:75V
开态电阻, Rds(on):0.0075ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 3
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
外部长度/高度:15.43mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:螺丝安装
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:75V
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:120A
芯片封装类型:B
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国15 |
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SEMIKRON - SK70MD075 - 场效应管模块 MOSFET 75V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:100A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.005ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
外部长度/高度:15.43mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:螺丝安装
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:75V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:100A
电流, Idm 脉冲:140A
芯片封装类型:A
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
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上海 0
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英国15 |
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SEMIKRON - SK85MH10 - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.007ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
外部长度/高度:15.43mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:MOSFET
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:120A
芯片封装类型:A
阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
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停产 |
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SEMIKRON - SK35GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:40A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 3
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:30ns
功率, Pd:1050W
安装孔中心距:52.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:80A
集电极电流, Ic 平均值:40A
集电极连续电流, Ic 最大值:32A
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新加坡 0
英国7 |
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SEMIKRON - SK20GH123 - 晶体管 IGBT模块 半桥 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:23A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:45ns
功率, Pd:1400W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:23A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:46A
集电极电流, Ic 平均值:23A
集电极连续电流, Ic 最大值:15A
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上海 0
新加坡 0
英国9 |
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SEMIKRON - SK10GH123 - 晶体管 IGBT模块 半桥 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:16A
饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:45ns
功率, Pd:1800W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:16A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:32A
集电极电流, Ic 平均值:16A
集电极连续电流, Ic 最大值:11A
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新加坡 0
英国6 |
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SEMIKRON - SK60GAL123 - 晶体管 IGBT模块 斩波 1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:58A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电??, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:1
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:90ns
功率, Pd:600W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:58A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:57A
集电极电流, Ic 平均值:58A
集电极连续电流, Ic 最大值:40A
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