图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
|
SHARP - S202T01F - 固态继电器 |
控制电压类型:DC
输入电压范围:1.4V
负载电流:2A
Load Voltage Range:80V to 240V
Switching Mode:Non Zero Cross
端子类型:Through Hole
浪涌电流:20A
系列:S202T01
负载电压 有效值 最大:600V
负载电流, RMS 最大:2A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - S202S02F - 固态继电器 |
控制电压类型:DC
输入电压范围:1.4V
负载电流:8A
Load Voltage Range:80V to 240V
Switching Mode:Zero Cross
端子类型:Through Hole
浪涌电流:80A
系列:S202S02
负载电压 有效值 最大:600V
负载电流, RMS 最大:8A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - S202S01F - 固态继电器 |
控制电压类型:DC
输入电压范围:1.4V
负载电流:8A
Load Voltage Range:80V to 240V
Switching Mode:Non Zero Cross
端子类型:Through Hole
浪涌电流:80A
系列:S202S01
负载电压 有效值 最大:600V
负载电流, RMS 最大:8A
|
上海 0 新加坡 0 英国987 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - S201S06F - 固态继电器 |
控制电压类型:DC
输入电压范围:1.4V
负载电流:3A
Load Voltage Range:80V to 240V
Switching Mode:Zero Cross
端子类型:Through Hole
浪涌电流:30A
系列:S201S06
负载电压 有效值 最大:600V
负载电流, RMS 最大:3A
|
上海 0 新加坡 0 英国522 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X5YUP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:12mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X1YUP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:12mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X5YIP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X2YIP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:12mA
电流, Ic 最小值:5mA
表面安装器件:表面安装
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X1YIP0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:SMD
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X5YFZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:6.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10.16mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X1YFZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:6.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:10.16mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
上海 0 新加坡 0 英国231 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X5YSZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:7.62mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:20mA
电流, Ic 最小值:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X2YSZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:7.62mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:12.5mA
电流, Ic 最小值:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
上海 0 新加坡30 英国 0 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - PC123X1YSZ0F - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5kV
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:18μs
下降时间:18μs
光电耦合器类型:Transistor Output
功耗:200mW
外宽:6.5mm
外部深度:4.58mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
排距:7.62mm
最大正向电流, If:1A
正向电压 Vf 最大:1.4V
电压, Vceo:70V
电流, Ic 最大:7.5mA
电流, Ic 最小值:2.5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SHARP - GP2Y0D21YK0F - 测距传感器 |
外宽:29.5mm
外部深度:13.5mm
外部长度/高度:13mm
工作温度范围:-10°C to +60°C
工作电流, DC:40mA
探测距离:21cm to 27cm
电源电压 最大:5.5V DC
电源电压 最小:4.5V DC
输出类型:Digital
|
无库存 |
1 |
1 |
|
共 13 页 | 第 10 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |