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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SILONEX - STS-88-058 - 光电开关 透射型 |
通道数:1
输出类型:晶体管
输入电流:50mA
输出电压:30V
光电耦合器类型:光电开关
电压, Vf 典型值:2.4V
电流, Ic (通态):400μA
电流, Ix:200nA
缝隙宽度:5.1mm
输出电压 最大:30V
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
反向漏电流, 最大:100μA
电压, Bvceo 最低:5V
电流, Ice (通态):100nA
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上海 0
新加坡100
英国260 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLDA-61S2508 - 光电二极管阵列 |
暗电流:3μA
波长峰值:930.00nm
二极管类型:平面光电二极管
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:76.76mm2
短路电流:450μA
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLDA-61S1008 - 光电二极管阵列 |
暗电流:3μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
波长峰值:930.00nm
二极管类型:平面光电二极管
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:9.36mm2
短路电流:80μA
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上海 0
新加坡 0
英国141 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N800 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:3.4mm
外部长度/高度:1.3mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:2.70mm2
短路电流:0.17mA
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N700 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:19.3mm
外部长度/高度:9mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:162.50mm2
短路电流:8mA
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N600 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:25.4mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:109.10mm2
短路电流:6mA
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上海 0
新加坡 0
英国62 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N500 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:10.2mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:93.60mm2
短路电流:4mA
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上海 0
新加坡 0
英国29 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N400 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:25.4mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:45.20mm2
短路电流:2.3mA
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上海 0
新加坡 0
英国115 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N300 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:45.90mm2
短路电流:2.1mA
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上海 0
新加坡10
英国130 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N200 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
封装形式:Side Looking
针脚数:2
工???温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:21.40mm2
短路电流:1.2mA
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上海 0
新加坡38
英国91 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N100 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:10.40mm2
短路电流:0.5mA
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上海 0
新加坡 0
英国80 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N8 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:3.4mm
外部长度/高度:1.3mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:2.70mm2
短路电流:0.17mA
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N5 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:10.2mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:93.60mm2
短路电流:4mA
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上海 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N4 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
??部深度:25.4mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:45.20mm2
短路电流:2.3mA
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上海 0
新加坡 0
英国69 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N3 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:45.90mm2
短路电流:2.1mA
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
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