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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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SILICON LABORATORIES - C8051F012-GQ - 芯片 10位微控制器 C8051F |
Controller Family/Series:C8051F
磁芯尺寸:8bit
输入/输出数:8
程序存储器大??:32KB
存储器容量, RAM:256Byte
处理器速度:20MHz
振荡器类型:Internal, External
计时器数:4
周边设备:ADC, DAC, Timer, PWM
接口:SPI, UART
PWM通道数:5
封装形式:LQFP
电源电压范围:2.7V to 3.6V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:32
RAM存储容量:256Byte
存储器容量:32KB
封装类型:LQFP
微处理器/控制器特点:UART, SMBus, SPI
接口类型:I2C, UART, SPI
时钟频率:20MHz
模数转换器输入数:4
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
输入/输出线数:8
闪存容量:32KB
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上海 0
新加坡 0
英国237 |
1 |
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SILICON LABORATORIES - C8051F005-TB - 目标开发板，12位 C8051 |
类型:Target Board
支持系列:C8051F005
特点:Evaluation and Preliminary Software Development, JTAG Connector for Debug Adapter Interface
工具/板应用:General Purpose MCU
开发工具类型:Target Board
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上海 0
新???坡 0
英国10 |
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SILICON LABORATORIES - C8051F005DK - 开发套件，12位 C8051F |
类型:Development Kit
支持系列:C8051F00x/01x
特点:Used for the Development of C8051F00x/01x Microcontroller Unit
工具/板应用:General Purpose MCU
工具/板应用:MCU Development
开发工具类型:Development Kit
支持器件:C8051F000, C8051F001, C8051F002 and more
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上海 0
新加坡1
英国10 |
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SILICON LABORATORIES - C8051F000-GQ - 芯片 12位微控制器 C8051F |
Controller Family/Series:C8051F
磁芯尺寸:8bit
输入/输出数:32
程序存储器大???:32KB
存储器容量, RAM:256Byte
处理器速度:20MHz
振荡器类型:Internal, External
计时器数:4
周边设备:ADC, DAC, Timer, PWM
接口:SPI, UART
PWM通道数:5
封装形式:TQFP
电源电压范围:2.7V to 3.6V
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:64
RAM存储容量:256Byte
存储器容量:32KB
封装类型:TQFP
微处理器/控制器特点:UART, SMBus, SPI
接口类型:I2C, UART, SPI
时钟频率:20MHz
模数转换器输入数:8
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
输入/输出线数:32
闪存容量:32KB
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上海 0
新加坡5
英国31 |
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SILONEX - SLD-70 C2A - 光电二极管 |
波长, 典型值:930nm
半角:60°
暗电流:100nA
针脚数:2
工作温度范围:-20°C to +75°C
上升时间:4μs
击穿电压:50V
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:50V
下降时间:6μs
二极管类型:光电二极管
封装类型:圆顶
波长, 频谱响应峰值:930nm
活性区面积:9.8mm2
短路电流:700μA
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上海 0
新加坡10
英国168 |
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SILONEX - SLD-70 BG2A - 光电二极管 BG滤波 |
波长, 典型值:550nm
半角:60°
暗电流:100nA
封装形式:Top View
针脚数:2
工作温度范围:-20°C to +85°C
上升时间:4μs
击穿电压:50V
波长峰值:550.00nm
电压, Vr 最高:50V
下降时间:6μs
二极管类型:过滤光敏二极管
封装类型:圆顶
波长, 频谱响应峰值:550nm
活性区面积:9.8mm2
短路电流:55μA
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上海 0
新加坡39
英国10 |
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SILONEX - STS-88-057 - 光电开关 透射型 |
通道数:1
输出类型:晶体管
输入电流:50mA
输出电压:30V
光电耦合器类型:光电开关
工作温度范围:-40°C to +85°C
最大正向电流, If:50mA
电压, Vf 典型值:1.2V
电流, Ic (通态):1.5μA
缝隙宽度:3.8mm
输出电压 最大:30V
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
反向漏电流, 最大:10μA
电压, Bvceo 最低:5V
电流, Ice (通态):100nA
电源电流:20mA
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无库存 |
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SILONEX - STS-88-058 - 光电开关 透射型 |
通道数:1
输出类型:晶体管
输入电流:50mA
输出电压:30V
光电耦合器类型:光电开关
电压, Vf 典型值:2.4V
电流, Ic (通态):400μA
电流, Ix:200nA
缝隙宽度:5.1mm
输出电压 最大:30V
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
反向漏电流, 最大:100μA
电压, Bvceo 最低:5V
电流, Ice (通态):100nA
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上海 0
新加坡100
英国260 |
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SILONEX - SLDA-61S2508 - 光电二极管阵列 |
暗电流:3μA
波长峰值:930.00nm
二极管类型:平面光电二极管
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:76.76mm2
短路电流:450μA
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
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SILONEX - SLDA-61S1008 - 光电二极管阵列 |
暗电流:3μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
波长峰值:930.00nm
二极管类型:平面光电二极管
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:9.36mm2
短路电流:80μA
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上海 0
新加坡 0
英国141 |
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SILONEX - SLSD-71N800 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:3.4mm
外部长度/高度:1.3mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:2.70mm2
短路电流:0.17mA
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
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SILONEX - SLSD-71N700 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:19.3mm
外部长度/高度:9mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:162.50mm2
短路电流:8mA
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
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SILONEX - SLSD-71N600 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:25.4mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:109.10mm2
短路电流:6mA
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上海 0
新加坡 0
英国62 |
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SILONEX - SLSD-71N500 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:10.2mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:93.60mm2
短路电流:4mA
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上海 0
新加坡 0
英国29 |
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SILONEX - SLSD-71N400 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:25.4mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:45.20mm2
短路电流:2.3mA
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上海 0
新加坡 0
英国115 |
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