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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SILONEX - SLSD-71N300 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:45.90mm2
短路电流:2.1mA
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上海 0
新加坡10
英国130 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N200 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
封装形式:Side Looking
针脚数:2
工???温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:21.40mm2
短路电流:1.2mA
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上海 0
新加坡38
英国91 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLSD-71N100 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
针脚数:2
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:Planar Photodiode
封装类型:Rectangular
开路电压:0.4V
引线长度:130mm
活性区面积:10.40mm2
短路电流:0.5mA
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上海 0
新加坡 0
英国80 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N8 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:3.4mm
外部长度/高度:1.3mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:2.70mm2
短路电流:0.17mA
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N5 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:10.2mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:93.60mm2
短路电流:4mA
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上海 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N4 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:5μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
??部深度:25.4mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:45.20mm2
短路电流:2.3mA
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上海 0
新加坡 0
英国69 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N3 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:10.2mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:45.90mm2
短路电流:2.1mA
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N2 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:3.3μA
工作温度范围:-40°C to +105°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:5.1mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:21.40mm2
短路电流:1.2mA
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上海 0
新加坡 0
英国718 |
1 |
1 |
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SILONEX - SLCD-61N1 - 光电二极管 平面型 |
波长, 典型值:930nm
灵敏度:0.55A/W
半角:60°
暗电流:1.7μA
工作温度范围:-40°C to +125°C
击穿电压:20V
外部深度:5.1mm
外部长度/高度:2.5mm
波长峰值:930.00nm
电压, Vr 最高:20V
二极管类型:光电二极管芯片
封装类型:矩形
开路电压:0.4V
活性区面积:10.40mm2
短路电流:0.5mA
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上海 0
新加坡 0
英国729 |
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SILICON LABORATORIES - DEBUGADPTR1-USB - 调试转接头C8051FXX USB |
转换自:USB
转换至:Debugger Interface
支持系列:C8051Fxxx
套件包含:USB Debug Adapter, 7” Ribbon Cable
工具/板应用:Debugging / Programming
开发工具类型:USB Debug Adapter
特点:Supports both JTAG and C2 Debug Interfaces, Power Provided to Adapter from USB Connection to the PC
类型:USB Debug Adapter
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上海2
新加坡14
英国97 |
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SILICON LABORATORIES - AB4 - 套件，以太网开发板 |
类型:Development Board
支持系列:C8051F120-TB, C8051F020-TB, C8051F340-TB
工具/板应用:Embedded Ethernet Microcontroller
工具/板应用:Ethernet Controller
开发工具类型:Development Kit
支持器件:C8051F120-TB, C8051F020-TB, C8051F340-TB
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上海 0
新加坡1
英国22 |
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SILICON LABORATORIES - CP2201-GM - 芯片 单片以太网控制器 |
电源电流:60mA
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:28
封装类型:QFN
器件标号:2201
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3.1V
表面安装器件:表面安装
RAM存储容量:6KB
位数:8
控制接口:并行口
数据率, 最高:30Mbps
时钟频率:20MHz
系列:CP2201
输入/输出数:9
输入/输出线数:11
通信功能:以太网控制器
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上海 0
新加坡 0
英国54 |
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SILICON LABORATORIES - CP2200-GQ - 芯片 单片以太网控制器 |
电源电流:60mA
工作温度范围:-40°C to +85°C
针脚数:48
封装类型:TQFP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:2200
封装类型:剥式
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3.1V
表面安装器件:表面安装
RAM存储容量:6KB
位数:8
控制接口:并行口
数据率, 最高:30Mbps
时钟频率:20MHz
系列:CP2200
输入/输出数:9
输入/输出线数:11
通信功能:以太网控制器
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上海 0
新加坡 0
英国141 |
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