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STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):60mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:3.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2500
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):120mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:1.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国270
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):250mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡82
    英国486
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8 STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOIC
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国49
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNQ830-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC STMICROELECTRONICS - VNQ830-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:28
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类??:SOIC
  • 功耗, Pd:6.25W
  • 器件标号:830
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:4
  • 输出电流:6A
  • 上海 0
    新加坡12
    英国1181
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNQ810-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC STMICROELECTRONICS - VNQ810-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:28
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类??:SOIC
  • 功耗, Pd:6.25W
  • 器件标号:810
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:4
  • 输出电流:3.5A
  • 上海 0
    新加坡20
    英国65
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    STMICROELECTRONICS - VNQ690SP - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10 STMICROELECTRONICS - VNQ690SP - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:10
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSOIC
  • 功耗, Pd:78W
  • 器件标号:690
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:6V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:4
  • 输出电流:10A
  • 上海 0
    新加坡10
    英国63
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    STMICROELECTRONICS - VNQ660SP-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10 STMICROELECTRONICS - VNQ660SP-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:10
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSOIC
  • 功耗, Pd:114W
  • 器件标号:660
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:6V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:4
  • 输出电流:6A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国39
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNQ5160K-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 POWERSSO24 STMICROELECTRONICS - VNQ5160K-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 POWERSSO24
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:24
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSSO
  • 器件标号:5160
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:4.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:4
  • 输出电流:5A
  • 上海 0
    新加坡17
    英国94
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNQ05XSP16TR-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 36V PWRSO16 STMICROELECTRONICS - VNQ05XSP16TR-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 36V PWRSO16
  • 驱动芯片类型:高边
  • 针脚数:16
  • 工作??度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSOIC
  • 功耗, Pd:78W
  • 器件标号:05
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:5.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出数:4
  • 输出电流:5A
  • 上海 0
    新加坡10
    英国1186
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):13mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:15A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡10
    英国351
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国644
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.035ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:42V
  • 电流, Id 连续:14A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国245
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220 STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡20
    英国301
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203 STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):35mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电流, Id 连续:7A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡30
    英国362
    1 1 询价,无需注册 订购
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