简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTS2101PT1G - 场效应管 MOSFET P 8V SOT-323
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTS2101PT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡400, 英国20
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 3.00
价格：
库存编号：
制造商编号：NTS2101PT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡400, 英国20
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 3.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 3.00 |
| 10 - 99 | CNY 2.40 |
| 100 - 249 | CNY 1.70 |
| 250 - 499 | CNY 1.40 |
| 500 - 999 | CNY 1.30 |
| 1000+ | CNY 0.97 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:1.4A
- 电压, Vds 最大:8V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-700mV
- 功耗:290mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.29W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-8V
- 电流, Id 连续:1.4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:1.4A
- 电压, Vds 最大:8V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-700mV
- 功耗:290mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.29W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-8V
- 电流, Id 连续:1.4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
