ON SEMICONDUCTOR - MMBF2201NT1G - 场效应管 MOSFET N 20V SOT-323

制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：MMBF2201NT1G
库存状态：上海 0 , 新加坡550, 英国2061
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 1.20
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 1.20
25 - 99	CNY 1.10
100 - 249	CNY 0.90
250+	CNY 0.80

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:300mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.7V
功耗:150mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.15W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V

产品属性：

重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:300mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):1ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:1.7V
功耗:150mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:0.15W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:0.3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V