简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTS4101PT1G - 场效应管 MOSFET P 20V SOT-323
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTS4101PT1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 1.92
价格：
库存编号：
制造商编号：NTS4101PT1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 1.92
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 1.92 |
| 25 - 99 | CNY 1.71 |
| 100 - 249 | CNY 1.35 |
| 250+ | CNY 1.12 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:1.37A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-640mV
- 功耗:329mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.329W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:1.37A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.64V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:1.37A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-640mV
- 功耗:329mW
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.329W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:1.37A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.64V
