ON SEMICONDUCTOR - NTLJD3119CTAG - 场效应管 MOSFET NP 20V DFN6

制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTLJD3119CTAG
库存状态：上海 0 , 新加坡120, 英国641
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.10
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 4.10
25 - 99	CNY 3.60
100 - 249	CNY 2.90
250+	CNY 2.60

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:3.8A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):65mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:700mV
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DFN
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.3W
封装类型:DFN
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V

产品属性：

重量（公斤）：0.00002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:3.8A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):65mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
电压, Vgs 最高:700mV
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DFN
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.3W
封装类型:DFN
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:4.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V