简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTMS5P02R2G - 场效应管 MOSFET P 20V SOIC-8
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTMS5P02R2G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:5.4A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.033ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-0.9V
- 功耗:7.05W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:7.05W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:5.4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.9V
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:5.4A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.033ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-0.9V
- 功耗:7.05W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:7.05W
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:5.4A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.9V
