简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTLGD3502NT1G - 场效应管 MOSFET N 20V DFN6 3X3MM
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTLGD3502NT1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：NTLGD3502NT1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管极???:N
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
- 工作温度范围:1453621
- 封装类型:DFN
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.74W
- 封装类型:DFN
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:5.8A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
产品属性：
重量（公斤）：0.00005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极???:N
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
- 工作温度范围:1453621
- 封装类型:DFN
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.74W
- 封装类型:DFN
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:5.8A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
