简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTF6P02T3G - 场效应管 MOSFET P 20V SOT-223
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTF6P02T3G
库存状态：上海 0 , 新加坡110, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.40
价格：
库存编号：
制造商编号：NTF6P02T3G
库存状态：上海 0 , 新加坡110, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.40 |
| 25 - 99 | CNY 3.90 |
| 100 - 249 | CNY 3.10 |
| 250+ | CNY 2.90 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- ??极电流, Id 最大值:10A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-900mV
- 功耗:8.3W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:8.3W
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:10A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-1V
产品属性：
重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- ??极电流, Id 最大值:10A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.05ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:-900mV
- 功耗:8.3W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:8.3W
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:10A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.7V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-1V
