ON SEMICONDUCTOR - NTS4409NT1G - 场效应管 MOSFET N 25V SOT-323
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:750mA
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):0.35ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:0.65V
- 功耗:330mW
- 工作温度范围:1453621
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.33W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:0.75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:750mA
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):0.35ohm
- 电压 @ Rds测量:4.5V
- 电压, Vgs 最高:0.65V
- 功耗:330mW
- 工作温度范围:1453621
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.33W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:0.75A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V

