简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTS4001NT1G - 场效应管 MOSFET N 30V SOT-323
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTS4001NT1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 3.30
价格：
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制造商编号：NTS4001NT1G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 3.30
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 3.30 |
| 10 - 99 | CNY 2.30 |
| 100 - 249 | CNY 1.30 |
| 250 - 499 | CNY 0.90 |
| 500 - 999 | CNY 0.77 |
| 1000+ | CNY 0.60 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:270mA
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:1.2V
- 功耗:330mW
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.33W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.27A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:270mA
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:1.2V
- 功耗:330mW
- 封装类型:SOT-323
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.33W
- 封装类型:SOT-323
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:0.27A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
