简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTF5P03T3G - 场效应管 MOSFET P 30V SOT-223
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTF5P03T3G
库存状态：上海 0 , 新加坡50, 英国657
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.20
价格：
库存编号：
制造商编号：NTF5P03T3G
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 4.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.20 |
| 25 - 99 | CNY 3.80 |
| 100 - 249 | CNY 3.00 |
| 250+ | CNY 2.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:5.2A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:-1.75V
- 功耗:3.13W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:3.13W
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-30V
- 电流, Id 连续:5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.75V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-3V
产品属性：
重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:5.2A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:-1.75V
- 功耗:3.13W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:3.13W
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-30V
- 电流, Id 连续:5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.75V
- 阈值电压, Vgs th 最高:-3V
