ON SEMICONDUCTOR - MMFT960T1G - 场效应管 MOSFET N 60V SOT-223
描述信息:
- 晶体管极性:N
- ??极电流, Id 最大值:300mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):1.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1V
- 功耗:800mW
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.8W
- 封装类型:SOT-223 (TO-261)
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:0.3A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00012
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- ??极电流, Id 最大值:300mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):1.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1V
- 功耗:800mW
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.8W
- 封装类型:SOT-223 (TO-261)
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:0.3A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V

