ON SEMICONDUCTOR - MLP1N06CLG - 场效应管 MOSFET N 60V TO-220
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏??电流, Id 最大值:1.8A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:1.5V
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:62V
- 电流, Id 连续:1A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00195
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏??电流, Id 最大值:1.8A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 电压, Vgs 最高:1.5V
- 功耗:40W
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:40W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:62V
- 电流, Id 连续:1A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V

