ON SEMICONDUCTOR - NTF2955T1G - 场效应管 MOSFET P 60V SOT-223

制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTF2955T1G
库存状态：上海150, 新加坡95, 英国5344
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 3.80
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 3.80
25 - 99	CNY 3.40
100 - 249	CNY 2.70
250+	CNY 2.40

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:2.6mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.17ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:2V
功耗:1W
封装类型:SOT-223
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:1W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:2.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
阈值电压, Vgs th 最高:-4V

产品属性：

重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:2.6mA
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.17ohm
电压 @ Rds测量:20V
电压, Vgs 最高:2V
功耗:1W
封装类型:SOT-223
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:1W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:2.6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
阈值电压, Vgs th 最高:-4V