ON SEMICONDUCTOR - NTP2955G - 场效应管 MOSFET P 60V TO-220

制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTP2955G
库存状态：上海 0 , 美国 0 , 新加坡 0 , 英国2525
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.24
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 24	CNY 6.24
25 - 99	CNY 5.56
100 - 249	CNY 4.41
250+	CNY 3.62

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.196ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.4W
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-4V

产品属性：

重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.196ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-4V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.4W
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:12A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-4V