简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTP30N20G - 场效应管 MOSFET N 200V TO-220
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTP30N20G
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 16.66
价格：
库存编号：
制造商编号：NTP30N20G
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 16.66
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 16.66 |
| 25 - 99 | CNY 14.84 |
| 100 - 249 | CNY 11.77 |
| 250+ | CNY 9.68 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极??流, Id 最大值:30A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.081ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.9V
- 功耗:214W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:214W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.9V
产品属性：
重量（公斤）：0.00195
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极??流, Id 最大值:30A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):0.081ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.9V
- 功耗:214W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:214W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.9V
